【专利19-US11,114,145 B2】Three-Dimensional magnetic device and magnetic memory（Tai Min;Runzi Hao;Lei Wang;Xue Zhou） |
【专利18-US10,734,054 B2】Magnetic structure based on synthetic antiferromagnetic free layer and derivative SOT-MRAM（Tai Min;Xue Zhou;Xuesong Zhou;Lei Wang） |
【专利17-US10,580,967 B2】Magnetic tunnel junction device and magnetic random access memory （Tai Min;Xue Zhou;Lin Zhang;Lei Wang） |
【专利16-ZL201910600144.3】一种三维磁性器件及磁存储器（闵泰,郝润姿,王蕾,周雪） |
【专利15-ZL202010858426.6】一种二维异质结隧穿场效应管免疫传感器及其制备方法（潘毅，柯柯，闵泰，雷虹，吕毅） |
【专利14-ZL202010224826.1】一种超高真空多功能样品转移装置及转移方法（潘毅、袁玺惠、吴迪、冯松杰、闵泰） |
【专利13-ZL201910557396.2】一种磁多层结构、磁性结器件和磁性随机存储装置及其辅助写入和直接读取方法（闵泰、林昊文、周雪、王蕾） |
【专利12-ZL201711261286.9】一种自旋极化电流发生器及其磁性装置（夏钶、闵泰、郝润姿、赵京延、王蕾） |
【专利11-ZL201810837874.0】基于人工反铁磁固定层的磁性隧道结器件及随机存储装置（闵泰、周雪、王蕾） |
【专利10-ZL201811271339.X】基于人工反铁磁固定层的磁性结构及SOT-MRAM （闵泰、周学松、周雪、王蕾） |
【专利9-ZL202010113772.1】一种超高真空进样与样品处理两用系统及处理方法（潘毅、吴迪、袁玺惠、闵泰） |
【专利8-ZL201611201099.7】一种STT-MRAM存储单元（王真、何岳巍、胡少杰、闵泰） |
【专利7-ZL201811088726.X】基于人工反铁磁自由层的磁性结构及SOT-MRAM（闵泰、周雪、周学松、王蕾） |
【专利6-ZL201910523538.3】无胶转移制备单层过渡金属硫族化合物纵向异质结的方法（潘毅、张林、闵泰） |
【专利5-ZL201910528391.7】一种超高真空除气装置及方法（潘毅、吴迪、闵泰） |
【专利4-ZL201810738861.8】基于人工反铁磁自由层的隧道结器件及磁性随机存储装置（闵泰、周雪、张林、王蕾） |
【专利3-ZL201810738206.2】一种磁性隧道结器件及其磁性随机存储装置（闵泰、张林、周雪、王蕾） |
【专利2-ZL201710749689.1】一种基于自旋霍尔效应的磁随机存储器（闵泰、何岳巍） |
【专利1-ZL201710548329.5】一种基于自旋塞贝克效应的热电转换器件结构（胡少杰、田祎龙、闵泰） |
© 2016 自旋电子材料与量子器件研究中心. All Rights Reserved.
地址：陕西省西安市咸宁西路28号（710049）
