专利名称:一种STT-MRAM存储单元
发明人:王真、何岳巍、胡少杰、闵泰
申请号:201611201099.7
专利号:ZL201611201099.7
授权日期:2020.11.10
上一条:一种基于电子自旋共振探测铁电体中铁电弛豫相变的方法
下一条:一种采用原子层沉积原位制备超顺磁Fe3O4纳米管阵列的方法
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