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E-field writable non-volatile magnetic random access memory based on multiferroics

发布日期：2013-06-20　　　点击量：

专利名称：E-field writable non-volatile magnetic random access memory based on multiferroics

发明人：N.-X. Sun; M. Liu

申请号：美国 WO2013090937A1



上一条：一种采用原子层沉积法原位制备氧化物/金属磁性异质结的方法

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