基于人工反铁磁自由层的隧道结器件及磁性随机存储装置;发明人:闵泰,周雪,张林,王蕾;专利号: ZL201810738861.8
Magnetic tunnel junction device and magnetic random access memory;US10,580,967 B2;Inventor:Tai Min;Xue Zhou;Lin Zhang;Lei Wang
一种磁性隧道结器件及其磁性随机存储装置;发明人:闵泰,张林,周雪,王蕾;专利号: ZL201810738206.2
基于人工反铁磁固定层的磁性隧道结器件及随机存储装置;发明人:闵泰,周雪,王蕾;专利号:ZL201810837874.0
A novel magnetic tunnel junction device and magnetic random access memory;US 16120584;Inventor:Tai Min;Xue Zhou;Lei Wang
基于人工反铁磁自由层的磁性结构及SOT-MRAM;发明人:闵泰,周雪,周学松,王蕾;专利号:ZL201811088726.X
基于人工反铁磁固定层的磁性结构及SOT-MRAM;发明人:闵泰,周学松,周雪,王蕾;专利号:ZL201811271339.X
Magnetic structure based on synthetic antiferromagnetic free layer and derivative SOT-MRAM;US10,734,054 B2;Inventor:Tai Min;Xue Zhou;Xuesong Zhou;Lei Wang
一种磁多层结构、磁性结器件和磁性随机存储装置及其辅助写入和直接读取方法;发明人:闵泰,林昊文,周雪,王蕾;专利号:ZL201910557396.2