工作经历

2017.09 ~ 今 西安交通大学材料学院 教授

2014.01 ~ 2017.06 德国Paul Drude Institute StaffScientist

2011.06 ~ 2013.12 德国Fritz Haber Institute 博士后

研究领域或方向

利用STM原子操纵技术在半导体材料表面构造功能性人工纳米结构

低维电子材料的制备及表面结构和表面电子结构表征

非共线磁性体系

科研项目

III-V 族半导体InAs表面的STM原子操纵研究 主持国家自然科学基金项目

磁纳米异质结构的非易失性和可编程自旋逻辑器件 骨干成员科技部项目

学术成果

l 代表性论文

1. P. G. Lustemberg#, Y. Pan#, D.C. Grinter, B.-J. Shaw, C.L. Pang, G. Thornton, R. Prez, M. V. Ganduglia-Pirovano*, N. Nilius*.Diffusion barriers block defect occupation on reduced CeO2(111)Phys. Rev. Lett.116, 236101, (2016). (#equal contribution)

2. Y. Pan, J. Yang, S. C. Erwin, K.Kanisawa, S.Fölsch*.Reconfigurable Quantum-Dot Molecules Created by Atom Manipulation,Phys. Rev. Lett.115 , 076803, (2015)

3. Y. Pan, N. Nilius*, H. J. Freund, J. Paier*, C. Penschke, J. Sauer.Titration of Ce 3+ ions in the CeO2 (111) surface by Au adatoms,Phys. Rev. Lett.111, 206101, (2013)

4. Y. Pan, L. Z. Zhang, L. Huang, L. F. Li, L. Meng, M. Gao, Q. Huan, X. Lin, Y. Wang, S. X. Du, H.-J. Freund, H. J. Gao*. Construction of 2D Atomic Crystals on Transition Metal Surfaces.Small10, 2215-2225 (2014).

5. Y. Pan, H. G. Zhang, D.X. Shi, J. T. Sun, S. X. Du, F. Liu, and H.-J. Gao*.Highly ordered, continuous, single-crystalline graphene monolayer formed on Ru (0001),Adv. Mater. 21, 2777, (2009)

专利

1. 中国发明专利：一种制备厘米级单层或双层有序单晶石墨烯的方法，CN101451269B （第二完成人）

2. US Patent: METHOD FOR PREPARING SILICON INTERCALATED MONOLAYER GRAPHENE Pub. No.: US 2011/0086756 A1（第二完成人）

l 学术专著章节

潘毅、杜世萱、黄立、王业亮、高鸿钧；《半导体科学与技术》第二版第七章：石墨烯材料；何杰、夏建白主编，科学出版社(2017)。

l 完整论文列表及引用

http://www.researcherid.com/rid/D-5461-2011