姓名：郭志新
职称：副教授
电话：029-82667977
E-mail: zxguo08@xjtu.edu.cn
个人主页：https://gr.xjtu.edu.cn/web/zxguo08/home
教育经历：
2007/9 - 2010/6，复旦大学，物理系，博士
2001/9 - 2007/6，湘潭大学，物理学院，学士、硕士
工作经历：
2019/5 - 至今，西安交通大学，材料学院，特聘研究员
2015/9 - 2016/9，德州大学奥斯汀分校，访问学者
2011/9 - 2014/1，东京大学，博士后
2010/7 - 2019/4，湘潭大学，物理系，讲师、副教授
主持科研项目：
1.国家自然科学基金面上项目：新型二维磁性材料/铁电氧化物范德华异质结的界面自旋态及其调控研究，No. 12074301， 2021.1-2024.12，62万，郭志新主持；
2. 横向课题：低功耗STT/SOT-MRAM的器件结构、紧凑模型及其类脑芯片设计，2020.9-2024.8，No. 2020082401，400 万，郭志新主持；
3.西安交通大学“青年拔尖人才”计划项目 (B类)， 2018.7-2024.7；
4.湖南省杰出青年基金：“异质界面磁结构对自旋电子器件自旋输运的调控效应及其关联机制研究”，No. 2018JJ1022，2018.1-2020.12；
5.国家自然科学基金青年项目：“纳米材料热、电输运性能的基底效应与调控”，(No. 11204259)，2013.1-2015.12 (已结题)；
6.湖南省自然科学基金项目：“二维纳米体系热输运性质及其调控的及计研究”，(No. 2015JJ6106)，2015.1-2017.12 (已结题)。
个人简介:
主要从事计算凝聚态物理、计算材料研究。围绕着微电子/自旋电子器件中的功耗与散热问题，以自主发展相关计算物理方法为基础，探索了以界面为“工具”来降低功耗和提升散热性能的可行性与方法，发现了界面诱导的新奇量子效应及量子态，揭示了其对器件性能影响的微观机理，提出了有效调控方法，为研发高性能芯片提供了新思路。以第一/通讯作者在 Nat. Commun., Nano Lett., npj Comput. Mater., Phys. Rev. B/M/Appl. (8篇) 等期刊发表SCI论文27篇，被SCI引用1200余次，单篇最高引用320余次，2篇论文入选ESI高引用论文。
研究领域：
自旋电子材料的界面结构、界面诱导的新奇输运现象、以及自旋电子器件的微纳界面设计。
代表性论文（*为通讯）：
1. Q. Lu, P. Li, Z. X. Guo*, G. Dong*, B. Peng, X. Zha, T. Min, Z. Zhou, M. Liu*, Giant tunable spin Hall angle in sputtered Bi2Se3 controlled by an electric field, Nature Communications 13, 1650 (2022).
2. P. Li, X. S. Zhou, Z. X. Guo*, Intriguing Magnetoelectric Effect in Two-dimensional Ferromagnetic/Perovskite Oxide Ferroelectric Heterostructure，npj Computational Materials 8, 20 (2022).
3. J. S. Huang, P. Li, X. X. Ren, Z. X. Guo*, Promising Properties of a Sub-5-nm Monolayer MoSi2N4 Transistor, Physical Review Applied 16, 044022 (2021).
4. P. Li(研究生), X. Li, W. Zhao, H. Chen, M. X. Chen,Z. X. Guo*, J. Feng, X. G. Gong, A. McDonald, Topological Dirac States beyond π-Orbitals for Silicene on SiC(0001) Surface,Nano Letters17, 6195 (2017).
5.Z. X. Guo,D. Zhang, and X. G. Gong*, Thermal conductivity of graphene nanoribbons,Applied Physics Letters95, 163103 (2009)(ESI高引论文).
6.Z. X. Guo,S. Furuya, J.-I. Iwata, and A. Oshiyama, Absence and presence of Dirac electrons in silicene on substrates,Physical Review B87, 235435 (2013) (ESI高引论文).
7.Z. X. Guo,S. Furuya, J.-I. Iwata, and A. Oshiyama, Absence of Dirac electrons in silicene on Ag(111) surfaces,Journal of the Physical Society of Japan82, 063714 (2013)(Editor’sChoice).
8.Z. X. Guo*,Y. Y. Zhang, H. J. Xiang, X. G. Gong, and A. Oshiyama,Structural evolution and optoelectronic applications of multilayer silicene,Physical Review B (Raid Communications)92, 201413 (2015).
9.Z. X. Guoand A. Oshiyama, Structural bistability and deep Dirac states in bilayer silicene on Ag(111) surfaces,Physical Review B89, 155418 (2014).
10.Z. X. Guo*,J. W. Ding, and X. G. Gong, Substrate effects on the thermal conductivity of epitaxial graphene nanoribbons,Physical Review B85, 235429 (2012).
11.Z. X. Guo, D. Zhang, and X. G. Gong*, Manipulating thermal conductivity through substrate coupling,Physical Review B84, 075470 (2011).
12.Z. X. Guo,Y. Xiao, J, W. Ding*, and X. H. Yan, Lattice dynamics of single-walled achiral BC3nanotubes,Physical Review B73, 045405 (2006).
13.Z. X. Guoand A. Oshiyama*, Crossover between silicene and ultra-thin Si atomic layers on Ag (111) surfaces,New Journal of Physics17, 045028 (2015).
14.P. Li(研究生), J. X. Cao, andZ. X. Guo*,A new approach for fabricating germanene with Dirac electrons preserved: a first principles study,Journal of Materials Chemistry C 4, 1736 (2016).
招生、招聘信息：
每年招收博士生1名、硕士生2名，欢迎有物理、材料背景的同学报考！
长期招聘从事计算物理、凝聚态理论物理研究的博士后，待遇条件：http://hr.xjtu.edu.cn/info/1018/4891.htm
