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一种磁多层膜结构及自旋转移矩磁随机存储器（ZL202011586313.1）

发布日期：2020-12-28　　　点击量：

 专利名称：一种磁多层膜结构及自旋转移矩磁随机存储器

发明人：闵泰，周雪，郭志新，李桃

 专利号：ZL202011586313.1

 授权日期：2023.10.27



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