专利

当前位置: 首页 -> 学术成果 -> 专利 -> 正文

一种磁多层结构及SOT-MRAM

发布日期:2020-12-28   点击量:

 专利名称:一种磁多层结构及SOT-MRAM

 发明人:闵泰,周雪,郭志新,李桃

 申请号:2020115863112

 申请日期:2020.12.28



© 2016 自旋电子材料与量子器件研究中心. All Rights Reserved.
地址:陕西省西安市咸宁西路28号(710049)