专利名称：一种抗强磁场干扰的AMR传感器及其制备方法
发明人：刘明，王志广，胡忠强，苏玮
申请号：201910684534.3
上一条：Magnetic structure based on synthetic antiferromagnetic free layer and derivative SOT-MRAM（US10,734,054 B2）
下一条：一种三维磁性器件及磁存储器（ZL201910600144.3）
© 2016 自旋电子材料与量子器件研究中心. All Rights Reserved.地址：陕西省西安市咸宁西路28号（710049）
