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Magnetic structure based on synthetic antiferromagnetic free layer and derivative SOT-MRAM（US10,734,054 B2）

发布日期：2019-09-18　　　点击量：

专利名称：Magnetic structure based on synthetic antiferromagnetic free layer and derivative SOT-MRAM

发明人:Tai Min;Xue Zhou;Xuesong Zhou;Lei Wang

申请号：US 16/575240

专利号：US10,734,054 B2

授权日期：2020.08.04

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