专利

当前位置: 首页 -> 学术成果 -> 专利 -> 正文

一种柱状SOT-MRAM存储器及其制备和写入方法

发布日期:2026-06-22   点击量:

专利名称:一种柱状SOT-MRAM存储器及其制备和写入方法

发明人: 闵泰,李兆骐,刘亚东,周雪

申请号:2025112839788

申请日期:2025.9.9



© 2016 自旋电子材料与量子器件研究中心. All Rights Reserved.
地址:陕西省西安市咸宁西路28号(710049)