专利名称:一种基于二维层状半导体材料与三维半导体衬底异质结的自驱动型光电突触及其制备方法
发明人: 潘毅,苗雪岑,杨嘉琪
申请号:202410523025.3
申请日期:2024.4.28
上一条:一种基于多层二维/三维材料异质结构的超低暗电流宽波段光电器件和方法
下一条:一种对硬件神经网络芯片进行能耗精度协同优化的方法
© 2016 自旋电子材料与量子器件研究中心. All Rights Reserved.地址:陕西省西安市咸宁西路28号(710049)