专利名称:一种二维异质结隧穿场效应管免疫传感器及其制备方法
发明人:潘毅,柯柯,闵泰,雷虹,吕毅
申请号:2020108584266
专利号:ZL202010858426.6
授权日期:2021年9月3日
上一条:一种磁性结构和自旋转移矩-磁随机存储器及其写入方法
下一条:一种超高真空环境多功能样品台及样品原位图案化(ZL202010496144.6)
© 2016 自旋电子材料与量子器件研究中心. All Rights Reserved.地址:陕西省西安市咸宁西路28号(710049)