专利

当前位置: 首页 -> 学术成果 -> 专利 -> 正文

基于人工反铁磁固定层的磁性结构及SOT-MRAM(ZL201811271339.X)

发布日期:2018-10-29   点击量:

专利名称: 基于人工反铁磁固定层的磁性结构及SOT-MRAM

发明人:闵泰,周学松,周雪,王蕾

申请号:201811271339.X 

专利号:ZL201811271339.X

授权日期:2021.01.19

© 2016 自旋电子材料与量子器件研究中心. All Rights Reserved.
地址:陕西省西安市咸宁西路28号(710049)