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Magnetic tunnel junction device and magnetic random access memory（US 10,580,967 B2）

发布日期：2018-09-11　　　点击量：

专利名称：Magnetic tunnel junction device and magnetic random access memory    

发明人:Tai Min;Xue Zhou;Lin Zhang;Lei Wang

申请号：US 16/127231

专利号：US 10,580,967 B2

授权日期：2020年3月3日

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